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Samsung 990 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND - Samsung 990, 1 TB,
Samsung 990. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6450 MB/s, Componente per: PC Dimensioni e peso Larghezza: 80,2 mm Profondità: 2,38 mm Altezza: 22,1 mm Gestione energetica Tensione di esercizio: 3,3 V Consumo di energia (in lettura): 4 W Consumo di energia (in scrittura): 3,7 W Consumo energetico (inattivo): 0,055 W Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa): 3 mW Condizioni ambientali Intervallo temperatura di funzionamento: 0 - 70 °C Shock di funzionamento: 1500 G Dati su imballaggio Tipo di imballo: Scatola Caratteristiche Capacità SSD: 1 TB Dimensione SSD: M.2 Interfaccia: PCI Express 4.0 NVMe: Sì Tipo memoria: V-NAND Componente per: PC criptaggio hardware: Sì Versione di NVMe: 2.0 Algoritmi di sicurezza supportati: 256-bit AES, TCG Opal 2.0 Dimensioni dell'unità SSD M.2: 2280 (22 x 80 mm) Velocità di lettura: 7150 MB/s Velocità di scrittura: 6450 MB/s Lettura casuale (4KB): 700000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) Scrittura casuale (4KB): 1100000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo) Linee dati dell'interfaccia PCI Express: x4 Supporto di DevSIp (standby del dispositivo): Sì Revisione PCI Express CEM: 4.0 Supporto S.M.A.R.T.: Sì Supporto TRIM: Sì Tempo medio tra guasti (MTBF): 1500000 hMehr anzeigen
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Produktdetails
- Hersteller
- Samsung
- GTIN
- 08806099020699